Sau công nghệ cmos - Điện tử Nano

*SAU CÔNG NGHỆ CMOS - ĐIỆN TỬ NANOGS. TS. ĐINH SỸ HIỀNBM: ĐIỆN TỬ-TRUYỀN THÔNGKHOA: CƠ-ĐiỆN-ĐiỆN TỬTRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM2014OUTLINEMở đầu Giới thiệu về hệ thống vi cơ điện (MEMS)/ video Phỏng vấn GS Geime về Graphene/ video1. Công nghệ CMOS2. Điện tử nano 2.1 Transistor phân tử 2.2 Spin FET 2.3 Transistor đơn điện tử 2.4 CNT FET 2.5 Graphene FETKết luận** CÔNG NGHỆ CMOSCông nghệ VLSI (very large scale integration) là trung tâm của công nghiệp điện tử mà CMOS là công nghệ chính. 95% vi mạch (IC) dựa trên CMOS.Doanh thu vi mạch: 250 tỷ USD vào năm 2007.IC là sản phẩm có ảnh hưởng sâu sắc tới tiến bộ xã hội và công nghệ.*Lịch sử của FET (field effect transistor)TiẾN TRÌNH THỜI GIAN CỦA ĐỘ DÀI CỔNG*.ĐỊNH LUẬT MOORE*THẾ HỆ CÔNG NGHỆ**SCALING Tăng tốc độTăng mật độGiảm giá thành.*Scaling tốc độ.*Scaling mật độ.*Scaling giá thành.*Scaling gía nhà máy.*Scaling kích thước FET*Định nghĩa về công nghệ nano .*VI ĐIỆN TỬ TRỞ THÀNH ĐIỆN TỬ NANO NHƯ THẾ NÀO ?Hiệp lực giữa giá thành và đặc trưng*SỰ TIẾN HÓA CỦA KHẢ NĂNG MÁY TÍNH /GIÁ THÀNH*TĂNG MỨC TÍCH HỢPThe candidates: nanotransistorsMolecular FETSpin FETSingle electron transistorCarbon nanotube FETGraphene FET**ĐIỆN TỬ PHÂN TỬ*CHUYỂN MẠCH PHÂN TỬCẤU TRÚC TRANSISTOR ĐƠN PHÂN TỬ*TRANSISTOR PHÂN TỬ CỔNG SAU*ORGANIC FET CỔNG SAU*TOP-GATE FET*ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA MFET**SPINTRONICS*HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ*HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ, GMR – Tỷ số từ trở khổng lồTrở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ đối songTrở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ song songHiệu ứng từ trở khổng lồ1988 – phát minh ra hiệu ứng từ trở khổng lồ2007- Albert Fert & Peter Grunberg đã nhận giải thưởng Nobel về vật lý **VAN SPIN LÀ GÌ ?*VAN SPIN*TIẾP XÚC ĐƯỜNG HẦM TỪ*SPIN FET*TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ*CẤM COULOMB*SET NHIỆT ĐỘ PHÒNG*SET FET*ỐNG VÀ DÂY NANO*ỐNG NANO CARBON ĐƠN TƯỜNGỐng nano đa tường**NHỮNG TÍNH CHẤT HẤP DẪN CỦA CNT*SỰ HÌNH THÀNH CNT NHỜ CVD XÚC TÁC*CNTFET ĐÃ ĐƯỢC CHẾ TẠOCNT FET PHẲNG **CNTFET ĐỒNG TRỤC*SỰ PHỤ THUỘC DÒNG THẾ VÀO HÀM CÔNG*TÓM TẮT VỀ CNTCNT FET phẳng*CNT FET ĐỒNG TRỤC*TOP-GATE CNT FET*Modeling of CNTFET*Modeling of CNTFET*GRAPHENE*Cấu trúc graphene FET*CẤU TRÚC GRAPHENE FET CỔNG TRÊN*ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA GRAPHENE NANORIBON FET*NHỮNG SỰ KIỆN QUAN TRỌNG CỦA PHÁT TRIỂN GRAPHENE*THỐNG KÊ CÁC BÀI BÁO ĐÃ CÔNG BỐ VỀ GRAPHENE (vàng) VÀ GRAPHENE HAI LỚP (xám)**KẾT LUẬNREFERENCES[1] Dinh Sy Hien, Huynh Lam Thu Thao, Le Hoang Minh, Modeling transport in single electron transistor, Journal of Physics, vol. 187, p.1-10, UK, 2009.[2] Dinh Sy Hien, Development of quantum simulator for emerging nanoelectronics devices, Journal of ISRN Nanotechnology, vol. 2012, p.(1-10), 2012.[3] Dinh Sy Hien, Some new results of quantum simulator NEMO-VN2, Journal of Progress in Nanotechnology and Nanomaterials, vol. 2013, p. (1-7), 2013.**