Bài giảng công suất điện tử - Chương 3: Công suất bán dẫn
3.1 Giới thiệu
Các bóng bán dẫn có dải điện áp và dòng điện cao được hiểu là các bóng bán dẫn
công suất. Một bóng bán dẫn là một dụng cụ ba lớp bán dẫn PNP hay NPN với hai
chỗ nối. Các bóng bán dẫn có hai loại cơ bản :Khuyếc đại và chuyển mạch . Trong
các điện tử công suất chủ yếu là hiệu qủa điều khiển côngsuất, với các bóng bán dẫn
là hoạt động ổn định như một chuyển mạch. Chúng chủ yếu được dùng trong mạch
băm và các ứng dụng biến đổi điện ( inverter).
Các diot là các chuyển mạch không có khả năng điều khiển chỉ có hai đầu cực. Chúng
chỉ đáp ứng để chuyển mạch điện áp qua chúng. Các bóng bán dẫn hơn thế nữa có ba
đầu cực. Hai đầu cực làm việc như các công tắc chuyển mạch, trong lúc đầu cực thứ
ba được dùng để vặn chuyển mạch đóng và mở. Như vậy mạch điều khiển có thể độc
lập với mạch điện được điều khiển.
Hai loại bán dẫn công suất được dùng rộng rãi trong các mạch điện tử công suất :
Bóng bán dẫn hai cực (BJT) vàchất bán dẫn ô xít kim loại trường tác dụng bóng bán
dẫn (MOSFET). MOSFET và BJT công suất vẫn còn phát triển là dụng cụ được chọn
trong các ứng dụng điện tử công suất.
Tốc độ chuyển mạch của một BJT nhiều thời gian trễ hơn một MOSFET cùng kích cỡ
và hiệu suất. Một BJT là một dụng cụ điều khiển mạch điện , và yêu cầu một dòng
điện cơ bản lớn để giữ dụng cụ trong trạng thái mở. Thêm vào đó, để đạt được việc
đóng nhanh, yêu cầu một dòng điện căn bản ngược cao hơn. Những hạn chế này của
MOSFET làm cơ sở thiết kế mạch điện hoàn thiện hơn và vì vậy mắc hơn. Mặt khác,
các MOSFET công suất là các dụng cụ điều khiển điện áp. Chúng được ưa chuộng
40
hơn với BJT trong các ứng dụng tần số cao nơi chuyển mạch tổn hao công suất
chuyển mạch là quan trọng. Tuy nhiên, điện áp trạng thái mở rơi trên MOSFET công
suất là cao hơn của một BJT cùng kích cỡ và công suất. Vì vậy, trong các ứng dụng
điện áp cao nơi tổn hao trạng thái mở là tối thiểu, một BJT được ưa chuộng nơi tiêu
phí thực hiện làm nghèo tần số cao.
Sáng kiến cổng cách điện bóng bán dẫn hai cực (IGBT) đã phần nào khắc phục các
hạn chế của các BJTs và MOSFETs . Các IGBTs cung cấp khả năng điện áp cao, tổn
hao trạng thái mở thấp, mạch điện đơn giản, tốc độ chuyển mạch nhanh. IGBTs vì
vậy trở thành chọn lựa lý tưởng cho các ứng dụng điện áp cao, tổn thất dẫn điện phải
thấp.
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- Microsoft Word - Chuong3.pdf