Bài 5: bộ nhớ ram tĩnh

Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số Họ tên:.......................................... Lớp:............................................... Nhóm: ........................................... Bàn số: .......................................... BÀI 5 BỘ NHỚ RAM TĨNH › MỤC ĐÍCH VÀ YÊU CẦU THÍ NGHIỆM Giúp sinh viên bằng thực nghiệm khảo sát : • Vi mạch nhớ chỉ đọc có khả năng xoá và lập trình EPROM ( Erasable Programmable Read Only Memory). • Vi mạch nhớ có thể viết và đọc số liệu tuỳ ý RAM ( Random Access Memory) • Cách lấy dữ liệu từ EPROM. › THIẾT BỊ SỬ DỤNG 1. Thiết bị chính cho thực tập điện tử số DTS-21. 2. Dao động ký 2 tia. 3. Khối thí nghiệm DM-211 cho bài thực tập về bộ nhớ (Gắn lên thiết bị chính DTS-21). 4. Phụ tùng : dây có chốt cắm hai đầu. PHẦN I : CƠ SỞ LÝ THUYẾT Phần này nhằm tóm lược những vấn đề lý thuyết thật cần thiết phục vụ cho bài thí nghiệm và các câu hỏi chuẩn bị để sinh viên phải đọc kỹ và trả lời trước ở nhà. Các ý niệm cơ bản: • Trong kỹ thuật số việc lưu trữ các thông tin theo một quy luật đã định sẳn hay tạo ra các linh kiện cho phép thay đổi các thông tin được thực hiện thông qua các bộ nhớ tĩnh ( RAM tĩnh ) hay bộ nhớ động. • Memory Cell: là một thiết bị hay một mạch điện tử được dùng để lưu trữ một bit đơn (0 hay 1). Ví dụ như 1 Flip Flop, 1 tụ điện hay 1 điểm đơn trên băng từ hoặc đĩa từ. • Memory word: là một nhóm các bit (cell) trong bộ nhớ biểu thị các lệnh hay dữ liệu. Ví dụ, 1 thanh ghi bao gồm 8 FF có thể được xem như là một bộ nhớ lưu trữ 1 từ (word) 8bit. Kích thước của từ có thể từ 4 đến 64bit. • Byte: là một từ 8 bit. • Địa chỉ: chỉ ra vị trí của một từ (word) trong bộ nhớ, mỗi từ lưu trữ trong bộ nhớ có 1 địa chỉ duy nhất. Địa chỉ luôn được biểu thị dưới dạng số nhị phân. • Dung lượng bộ nhớ = 2N (word). Với N là số đường địa chỉ. Word ở đây là 1 từ nhớ trong bộ nhớ, đối với bộ nhớ 8bit, thì 1 word = 1 byte. Ví dụ: RAM 6132 có 12 đường địa chỉ (N=12), 8 đường dữ liệu (1byte) thì có dung lượng là: ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang65 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số 212 bytes = 210.22 = 22 Kbytes = 4 Kbytes = 212. 8 = 32768 bits • RAM (random-access memory): Là vi mạch nhớ cho phép người sử dụng có thể ghi và đọc các dữ liệu tuỳ ý, thời gian truy xuất là bằng mhau cho tất cả các địa chỉ trong bộ nhớ. • SAM (sequential-access memory): là một dạng của bộ nhớ mà thời gian truy xuất không phải là hằng số, nó thay đổi tùy thuộc vào vị trí của địa chỉ. • ROM (read only memory): trong kỹ thuật, một ROM có thể được ghi 1 lần bởi nhà sản xuất, sau đó ROM chỉ được đọc, không ghi. • EPROM: là vi mạch nhớ có khả năng xoá và lập trình theo yêu cầu người sử dụng. • Một số IC đệm, và dịch data thông dụng trong các mạch truy xuất bộ nhớ: ¾ 74LS374: (đã khảo sát ở bài Flipflop) sinh viên cần xem lại sơ đồ chân và bảng sự thật, cũng như chức năng của IC. ¾ 74LS245: vào song song/ra song song (8 bits) U53 74LS245/LCC 2 3 4 5 6 7 8 9 19 1 18 17 16 15 14 13 12 11 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 G DIR B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 G hay OE DIR Mô tả 1 0 0 X 1 0 Không tích cực Hướng truyền từ A⇒B Hướng truyền từ B⇒A ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang66 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số PHẦN II : TIẾN TRÌNH THÍ NGHIỆM Sau khi đã hiểu kỹ những vấn đề lý thuyết được nhắc lại và nhấn mạnh ở PHẦN I, phần này bao gồm trình tự các bước phải tiến hành tại phòng thí nghiệm. II.1. KHẢO SÁT RAM: 1. Mảng thí nghiệm : Mảng DM 211 (Hình D11-2) 2. Cấp nguồn +5V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mảng D211. 3. Thực hiện nối dây (hình 4.5) • Nối các đường địa chỉ của RAM từ A0ỈA3 với các công tắc Logic LS13ỈLS16 của thiết bị chính DTS-21. • Nối các đường Data từ 1DỈ8D với các công tắc Logic LS1ỈLS8 của thiết bị chính DTS-21. • Nối các ngã ra từ 1QỈ8Q (IC5) với các LED đơn (LOGIC INDICATOR) của thiết bị chính DTS-21. • Nối chân điều khiển RAM (IC2) : CE với các công tắc DS1/TTL. • Nối chân điều khiển của RAM (IC2) : OE với các công tắc DS2/TTL. • Nối chân WR của RAM (IC2) với công tắc xung PS1 (ngõ ra A/TTL). • Nối lối điều khiển IOR với chốt +5V để tạo mức 0 cho phép ở chân OE của IC4. • Nối chân DIR của IC 74LS245 với công tắc Logic DS3/TTL. • Nối chốt OE (chân1/IC6) với công tắc Logic DS4/TTL cho phép mở lối ra thanh chốt IC6 khi DS4/TTL= [0]. • Nối chốt CK của IC6 với công tắc PS2 (ngõ ra B/TTL). Sử dụng để chốt số liệu từ ngoài vào thanh chốt IC6. 4. Các bước thực hiện: a. Chuyển số liệu từ thiết bị ngoài vào RAM Bước 1: Đặt các công tắc điều khiển như trong bảng D11-1. Bảng D11-1 CÔNG TẮC TRẠNG THÁI GIẢI THÍCH DS1 (CE \RAM) 0 Chọn RAM hoạt động. DS2 (OE \RAM) 1 Cấm RAM xuất ra. DS3 (DIR\IC4) 1 Định chiều nhập số liệu từ ngoài vào RAM (AỈB) . DS4 (OE \IC6) 0 Cho phép bộ chốt số liệu vào theo tín hiệu CK (IC6). Bước 2: Đặt địa chỉ Address cho RAM (đặt các công tắc LS13-LS16 theo cấu hình địa chỉ chọn). Ghi lại mã địa chỉ. Bước 3: Đặt mã số lối vào Data (đặt các công tắc LS1-LS8 theo cấu hình địa chỉ chọn). Ghi lại giá trị mã vào. ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang67 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số Bước 4: Nhấn PS2 (CK)để chốt số liệu từ ngoài vào thanh chốt IC6. Bước 5: Nhấn PS1 (WR) để ghi mã ngoài từ thanh chốt IC6 vào RAM theo địa chỉ đã chọn. Bước 6: Đặt địa chỉ Address khác cho RAM và chọn lại mã ngoài Data, lặp lại các bước nêu trên (lần 1) để ghi vài số liệu vào địa chỉ tương ứng trong RAM. b. Chuyển số liệu từ RAM ra ngoài : thực hiện kiểm tra số liệu vừa ghi từ ngoài vào RAM. Bước 1: Giữ nguyên cấu hình nối dây vừa thực hiện ở mục 1 và không tắt nguồn cung cấp cho mạch Bước 2: Nối công tắc PS2 (B/TTL) với chân CK của IC5. Bước 3: Đặt công tắc DS4 (OE\IC6) = [1]. Cấm thanh chốt (IC6), không cho số liệu từ IC6 xuất vào BUS chung. Bước 4: Đặt các công tắc điều khiển như trong bảng D11-2. Bảng D11-2 CÔNG TẮC TRẠNG THÁI GIẢI THÍCH DS4 (OE\IC6) 1 Cấm thanh chốt IC6. DS3 (DIR\IC4) 0 Định chiều xuất số liệu từ RAM ra ngoài (BỈA) . DS1 (CE\RAM) 0 Chọn RAM hoạt động. DS2 (OE\RAM) 0 Cho phép RAM xuất số liệu ra ngoài. Bước 5: Đặt các công tắc LS13ỈLS16 cho địa chỉ RAM bất kỳ (một trong các địa chỉ đã nạp số liệu từ ngoài vào RAM). Bước 6: Với mỗi địa chỉ đã chọn, nhấn PS2 để chốt số liệu xuất từ RAM vào thanh chốt IC5. Ghi lại trạng thái dãy LED (lối ra-LED sáng = [1]. lối ra-LED tắt = [0]). Bước 7: So sánh kết quả nhận được với số liệu nạp vào RAM lúc trước theo mỗi địa chỉ xác lập. II.2. KHẢO SÁT ROM: 1. Mảng thí nghiệm : Mảng DM 211 (Hình D11-2) 2. Cấp nguồn +5V của nguồn DC POWER SUPPLY cho mảng D211. 3. Thực hiện nối dây: Có thể sử dụng các công tắc logic để khảo sát từng nhịp đọc ghi số liệu giữa ROM, RAM và thiết bị ngoài. Để giảm nhẹ khó nhọc khi thực tập, Khối DM-211 chứa một bộ đếm đôi 4 bit (IC8-74LS93) để tạo 4 địa chỉ thấp (A0-A3). Các công tắc nối vào địa chỉ cao (từ A4 - A11) sẽ tạo địa chỉ cho các chương trình riêng trong ROM. • Nối các chân ra của bộ đếm IC8 : A -> A0, B -> A1, C -> A2, D -> A3 của IC1 * Lối vào (Input) nối với các mảng công tắc của thiết bị chính DTS-21: • Nối lối vào A4 với công tắc logic LS1. ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang68 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số • Nối lối vào A5 với công tắc logic LS2. • Nối lối vào A6 với công tắc logic LS3. • Nối lối vào A7 với công tắc logic LS4. • Nối lối vào A8 với công tắc logic LS5. • Nối lối vào A9 với công tắc logic LS6. • Nối lối vào A10 với công tắc logic LS7. • Nối lối vào A11 với công tắc logic LS8. • Nối lối điều khiển IOR với chốt +5V để tạo mức 0 cho phép ở chân OE của IC4. • Nối lối vào CE /ROM (Chọn ROM hoạt động) với công tắc logic DS1/ chốt TTL. Chuyển công tắc DS1 sang vị trí [ 0 ] • Nối lối vào OE/RAM ( Mở lối ra cho RAM) với công tắc logic DS2/ chốt TTL. Chuyển công tắc DS2 sang vị trí [ 1 ] • Nối lối vào CE/RAM ( Chọn RAM hoạt động ) với công tắc logic DS3/ chốt TTL. Chuyển công tắc DS3 sang vị trí [ 0 ] • Nối lối vào DIR (hướng xuất nhập số liệu)với công tắc logic DS4 / chốt TTL. Chuyển công tắc DS4 sang vị trí [ 0 ] • Nối chốt OE chân 1/IC6 lên +5V để cấm IC6, không cho số liệu chốt trong IC6 xuất ra đường BUS chung. * Lối ra (Output - IC5) :nối với bộ chỉ thị LED đơn của DTS-21. • Nối lối ra 1Q với LED0. • Nối lối ra 2Q với LED1. • Nối lối ra 3Q với LED2. • Nối lối ra 4Q với LED3. • Nối lối ra 5Q với LED4. • Nối lối ra 6Q với LED5. • Nối lối ra 7Q với LED6. • Nối lối ra 8Q với LED7. 4. Các bước thực hiện: a. Chuyển số liệu từ ROM sang RAM và ra thiết bị ngoài : Bước 1: Đặt các công tắc điều khiển như trong bảng D11-3. Bảng D11-3 CÔNG TẮC TRẠNG THÁI GIẢI THÍCH DS1 0 Chọn ROM để hoạt động. DS2 1 Cấm lối ra RAM. DS3 0 Chọn RAM hoạt động. DS4 0 Định chiều xuất số liệu từ ROM, RAM ra ngoài. Chú ý : đặt và thao tác đúng công tắc DS2 để cấm trường hợp cả ROM và RAM cùng mở lối ra và cùng xuất số liệu vào đường BUS (D0-D7) chung. Bước 2: Nối máy phát xung CLOCK GEN. (1Hz) của DTS-21 với lối vào IN - IC8, với WR và với chốt CK - IC5. Nhờ vậy, với mỗi địa chỉ đọc ROM(IC1), bộ RAM (IC2) và thanh chốt (IC5) sẽ được điều khiển đồng bộ ghi tài liệu xuất từ ROM. Tài liệu được ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang69 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số ghi trong thanh chốt IC5 theo mỗi nhịp đổi địa chỉ sẽ xuất ra ngoài và chỉ thị trên dãy LED. Xác định mã lối ra được ghi theo mỗi địa chỉ của EPROM. * Trong bảng D11-4 có đưa vào mã rút gọn cho 4 cột địa chỉ hoặc tài liệu kế tiếp nhau từ thấp đến cao theo mã nhị phân. Lưu ý mã rút gọn cho địa chỉ và tài liệu là mã thường dùng để lập trình cho các EPROM. Bảng D11-4 Mã nhị phân Mã rút gọn 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F Ví dụ : 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 viết gọn thành : 0A4F -------- -------- -------- -------- 0 A 4 F Bước 3: Các công tắc logic đặt theo bảng D11-5 để tạo địa chỉ . Bảng D11-5 ĐỊA CHỈ DATA LỐI RA A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Mã rút gọn địa chỉ D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Mã rút gọn tài liệu 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang70 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 ĐỊA CHỈ DATA LỐI RA A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Mã rút gọn địa chỉ D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Mã rút gọn tài liệu 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang71 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 ĐỊA CHỈ DATA LỐI RA A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Mã rút gọn địa chỉ D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Mã rút gọn tài liệu 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang72 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 ĐỊA CHỈ DATA LỐI RA A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Mã rút gọn địa chỉ D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Mã rút gọn tài liệu 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang73 Phòng thí nghiệm Điện Tử Xung –Số Tài liệu thí nghiệm Số 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 b. Chuyển số liệu từ RAM ra thiết bị ngoại vi : Bước 1: Giữ nguyên cấu hình nối dây vừa thực hiện ở mục a và không tắt nguồn cung cấp cho mạch. Bước 2: Tín hiệu từ máy phát vẫn nối vào lối vào IN – IC8 và CK - IC5. Bước 3: Rút chốt của đường WR phía lối vào IN, cắm chốt này với chốt A/TTL công tắc PS1 của thiết bị chính. Động tác này cho phép dừng việc ghi từ ROM -> RAM. Bước 4: Gạt công tắc DS1 của thiết bị chính từ 0 -> 1 để cấm ROM. Bước 5: Gạt công tắc DS2 của thiết bị chính từ 1 -> 0 để mở lối ra RAM, cho phép chuyển số liệu đã ghi trong RAM ra ngoài. Số liệu này phải trùng với số liệu ghi trong ROM. Bước 6:Tương ứng với mỗi địa chỉ cao ( xem bảng D11-5) , quan sát và ghi nhận trạng thái chuyển đổi của dãy LED, xem xét sự tương ứng giữa trạng thái chỉ thị (số liệu ghi trong RAM) với chương trình ghi trong ROM đã hiển thị lúc trước. ĐH Kỹ Thuật Công Nghệ Trang74